自1999年始，全球存儲器業歷經六次大的兼并與退出，廠家規模與數量減少，至今為止DRAM方面只剩下包括三星、海力士和美光在內的三家企業，而閃存方面也只有三星、東芝/閃迪、海力士以及美光/英特爾等四組。　　
　　反觀國內，近些年我國一直關注著存儲器的發展。2014年，國家頒布實施《國家集成電路產業發展推進綱要（2015-2025）》，并成立國家集成電路產業領導小組和國家集成電路產業投資基金。2015年，發展存儲器上升為國家戰略。　
　　在國家政策的刺激下，2016年武漢、合肥、深圳、泉州等多地紛紛傳出加碼存儲器芯片的聲音，擬布局或開工建設存儲器芯片生產線。如北京有紫光集團宣布投資300億美元做存儲器，武漢有武漢新芯準備耗資240億美元打造國家級存儲器基地，合肥放言要打造IC之都，福建晉江也在躍躍欲試。　　
　　業內人士表示，中國此輪“存儲熱潮”既說明《推進綱要》第一階段實施工作已取得顯著成果，也預示著下一輪全球存儲器發展的中心將逐步向中國轉移。另一方面來看，隨著行業內大動作的頻繁出現，我國發展存儲器產業形成了三路進擊的趨勢，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長鑫合作下也開始蠢蠢欲動。　　
　　盡管目前大陸在發展存儲器產業的道路上已經邁出第一步，然而未來的前景依然迷霧重重。首先，在市場方面，根據最新的DRAMeXchange數據，受到智能手機加載內存容量需不斷增長的影響，第三季度移動式內存總產值達45.88億美元，季增16.8%。　　
　　同樣受到智能手機需求的影響，第三季度NAND閃存開始漲價，使得NAND廠商營收季度增長19.6%，營業利潤率環比大幅增加。DRAMeXchange研究協理楊文得表示，第四季度各類電子終端設備的出貨量將進入年度高峰期，預估整體NAND閃存將呈供不應求的狀況，NAND閃存的合約價格漲幅將會更高。　　
　　而從產業方面來看，無論是DRAM、NAND Flash，還是有可能帶來產業變革機會的3DNAND產品，都處在高度壟斷。目前，三星在3D NAND方面處于領先地位，主流技術已經是64層的3D NAND，且其3D NAND產出己經占到其NAND總出貨量的40%。　
　　除此之外，技術人才的缺乏也是中國大陸發展存儲產業的短板之一。DRAMeXchange分析師多次表示，人才將是中國大陸發展存儲業的一個瓶頸。可以預見，未來市場對半導體工程師的需求是龐大的，因此建立存儲器的人才培養機制，方是長久之計。　　
　　綜上所述，我國存儲器要實現量產仍然需要較長時間。但是伴隨著當前的政府政策支持以及各地產學研的不斷努力，加之現在互聯網的發展和云計算的不斷成熟，假以時日，我國存儲器產業化必將迎來利好時機，我國的存儲器產業也會在國際上占有一席之地。