目前，電子元器件芯片朝著越來越復雜的方向發(fā)展，而傳統(tǒng)的IC集成器件封裝和金屬管殼封裝都會帶來困難。例如MEMS傳感器，為了提高其性能，往往需要增加可動質(zhì)量塊的厚度，使用傳統(tǒng)的IC集成器件封裝技術和國內(nèi)外標準的LCC（無引腳芯片載體）封裝管殼的腔體深度往往不能滿足MEMS厚度的要求，極大地造成了封裝及微組裝工序的復雜度，而且芯片的整體面積很大，增加了成本，不利于進行批量生產(chǎn)。
　　
　　中國科學院地質(zhì)與地球物理研究所工程師薛旭等人以梳齒型MEMS加速度計為典型實施例，發(fā)明了一種適合MEMS尤其是MEMS慣性傳感器的集成封裝方法，并于近日獲得國家發(fā)明專利授權（專利名稱：一種MEMS傳感器封裝結構及其封裝方法；發(fā)明人：薛旭，郭士超；專利號：ZL201410183524.9）。他們針對現(xiàn)有技術的不足，提供了一種根據(jù)需要可方便拓展為多層級結構的基座，并可將導線分層布設于基座中，可解決走線困難的問題。此外，他們還提供了一種低封裝應力和氣密性較好的封裝結構，采取低溫平行縫焊的低溫度封裝技術。MEMS與基座的粘接工藝與材料匹配以及溫度傳感器和MCU處理器有效布置，從材料應力、算法補償、實時溫度校準等多方面解決了MEMS慣性傳感器尤其是MEMS加速度傳感器的溫度系數(shù)大、溫度滯回大等難題，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。
　　
　　該發(fā)明從偏置穩(wěn)定性、溫度特性以及工程化等幾個方面解決了一系列MEMS難題，相關技術已經(jīng)在課題組的樣機和產(chǎn)品上進行了小批量試制，取得了較好的效果，初步達到了工程化及量產(chǎn)能力，具有一定的推廣應用前景。