德州儀器(TI)近日推出一項創新的三相氮化鎵(GaN)逆變器參考設計，可幫助工程師構建200 V，2 kW交流伺服電機驅動器和下一代工業機器人，具有快速的電流回路控制，更高的效率，更精確的速度和轉矩控制。

　　三相逆變器GaN功率級

　　三相高頻GaN逆變器參考設計采用TI去年最新推出的LMG3410 600-V，12-A GaN功率模塊，具有集成FET、柵極驅動器和保護功能。 GaN模塊可使設計開關比硅FET快5倍，可在100 kHz時實現高于98%的效率水平，在24 kHz脈寬調制(PWM)頻率下，可實現高于99%的效率水平。使用GaN，設計人員可以優化開關性能，減少電機的功率損耗，并可降低散熱片的尺寸以節省電路板空間。與低電感電機配合使用時，以100kHz運行逆變器，可大幅改善轉矩脈動。

　　功率、速度和性能

　　GaN逆變器功率級可與微控制器(MCU)輕松對接，包括TI的TMS320F28379D驅動控制片上系統，以幫助動態調整電壓頻率并實現超快速電流環路控制。TI近日還推出了新型DesignDRIVE快速電流環路軟件，具有創新的子周期PWM更新技術，可幫助將伺服驅動器中的電流環路性能提高到小于1微秒，可達到電機轉矩響應的三倍。該快速電流環路軟件優于傳統的基于MCU的電流環路解決方案，并且可以免費使用controlSUITE™軟件。

　　除了GaN模塊，該參考設計依賴于TI的AMC1306隔離delta-sigma調制器，具有電流檢測功能，可提高電機控制性能。TI的ISO7831數字隔離器還為MCU和該設計的六個PWM之間提供增強隔離。