廣東科技發展專項“大氣中子輻照譜儀實驗平臺”項目啟動

作者： 2018年05月02日來源：全球化工設備網瀏覽量：

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【中國化工儀器網行業動態】4月19日，廣東省科技發展專項“基于中國散裂中子源的大氣中子輻照譜儀實驗平臺”項目啟動會暨物理設計評審會在工業和信息化部電子第五研究所召開。　　散裂中子源工程經理、中

【中國化工儀器網行業動態】4月19日，廣東省科技發展專項“基于中國散裂中子源的大氣中子輻照譜儀實驗平臺”項目啟動會暨物理設計評審會在工業和信息化部電子第五研究所召開。

　　散裂中子源工程經理、中科院院士陳和生指出，大氣中子輻照譜儀作為中國散裂中子源啟動的第一臺新建用戶譜儀，將為新型電子器件和電子系統的大氣中子輻照效應提供優良的實驗、測試平臺，充分發揮散裂中子源的能力。項目承擔單位工業和信息化部電子第五研究所副所長王蘊輝、東莞中子科學中心主任陳延偉分別致辭，表示全力支持項目的建設。

　　項目技術專家組認真聽取了項目組關于譜儀物理設計的匯報，經過質詢與討論，認為：大氣中子輻照譜儀物理設計科學合理，技術途徑可行。專家組一致同意通過評審，開展后續工程設計。

　　宇宙射線在地球大氣層通過散裂反應產生的大氣中子分布于地面和大氣空間，大氣中子可以引發電子器件的單粒子效應等輻射效應，造成器件數據出錯、功能失效甚至燒毀，且隨器件特征尺寸減小、集成密度提高日趨嚴重，對電子器件/系統的地面高可靠需求應用、航空和臨近空間應用產生嚴重影響。中國散裂中子源自2012年設計并建設了大氣中子引出通道。

　　大氣中子輻照譜儀將是國內唯一具有大氣中子能譜特征、覆蓋meV到GeV能段的電子器件/系統加速測試平臺，“>10MeV中子通量”等物理設計指標達到國際領先水平，將為我國電子信息產業的自主可控發展提供重要的大氣中子輻照效應技術支撐，并促進相關科技產業的發展。

　　編輯點評

　　對于半導體(例如硅)晶體材料的中子輻照，所產生的效果主要是在晶體中通過彈性碰撞而形成間隙原子和空位等缺陷；所造成的后果，主要是在禁帶中央附近產生一個受主能級，并從而降低少數載流子壽命，同時也將要影響到半導體器件的其他性能(例如穩定性、可靠性)。

　　(原標題：“基于中國散裂中子源的大氣中子輻照譜儀實驗平臺”項目啟動)

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