8月23日，國產(chǎn)存儲芯片廠商普冉半導體(上海)股份有限公司(簡稱“普冉股份”，股票代碼：688766)成功于科創(chuàng)板上市，發(fā)行905.718萬股，發(fā)行價148.9元/股。至收盤時，普冉股份較發(fā)行價漲225.79%，換手率75.29%，成交額26.88億元。

　　普冉股份2016年成立，承接了無錫普雅的的全部資產(chǎn)、業(yè)務、人員、技術(shù)。

　　普冉股份主營業(yè)務為非易失性存儲器芯片，主要產(chǎn)品為NOR Flash和EEPROM兩類芯片，可用于低功耗藍牙模塊、TWS耳機、手機觸控、AMOLED和手機攝像頭模組等方面。目前，普冉股份產(chǎn)品已進入小米、OPPO、vivo、華為、美的等廠商的終端產(chǎn)品。

　　報告期內(nèi)，普冉股份營收增速較快，2018年-2020年各期營收分別為1.78億元、3.63億元和7.17億元。

　　本次IPO，普冉股份計劃募資3.45億元，主要用于閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、EEPROM芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和總部基地及前沿技術(shù)研發(fā)3個項目。

　　行業(yè)市場競爭格局與發(fā)展趨勢分析

　　全球存儲芯片行業(yè)集中度高，國內(nèi)市場處于成長階段

　　根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院分析，存儲芯片，又稱半導體存儲器，是以半導體電路作為存儲媒介的存儲器，用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲芯片具有體積小、存儲速度快等特點，廣泛應用于內(nèi)存、U盤、消費電子、智能終端、固態(tài)存儲硬盤等領(lǐng)域。

　　目前全球儲存芯片市場被海外企業(yè)壟斷。DRAM領(lǐng)域，三星、美光、SK海力士占據(jù)95%的市場份額;NAND Flash領(lǐng)域被三星、美光、SK海力士、英特爾壟斷;NOR Flash領(lǐng)域海外壟斷程度最低，旺宏、華邦、兆易創(chuàng)新市占率前三，合計占據(jù)70%份額。

　　我國具有設(shè)計存儲芯片的頭部企業(yè)主要包括長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新、紫光國芯、中芯國際以及華虹半導體等，主要存儲芯片業(yè)務布局為NOR Flash及閃存芯片設(shè)計。

　　存儲芯片有多種細分市場，以NAND Flash和DRAM存儲芯片為主。長江存儲作為我國NAND Flash龍頭企業(yè)，完成128層NAND Flash存儲芯片技術(shù)突破。Trendforce數(shù)據(jù)顯示，三星、海力士、美光都計劃在2020年推出128層的(TLC/QLC)，而在2020年后，QLC將逐步發(fā)展并成為主流。

　　在2018年后，中國的長江儲存技術(shù)出現(xiàn)在世界視野中，中國NAND Flash廠商長江存儲(YMTC)已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲控制器廠商，目標第三季進入投片、年底前量產(chǎn)，擬用于UFS、SSD等各類終端產(chǎn)品，并同時出貨給模組廠。

　　中國存儲芯片：后來居上，前途廣闊

　　中國存儲芯片廠商發(fā)展力強，成長空間較大。從中國存儲芯片行業(yè)競爭格局來看，市場主要由國外存儲芯片巨頭領(lǐng)導，細分領(lǐng)域也落后于國外及臺灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等)，但近年來國內(nèi)廠商奮力追趕，已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，逐步縮小與國外原廠的差距，其中，兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場前三，聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三，長江存儲128層3DNAND存儲芯片，直接跳過96層，加速趕超國外廠商先進技術(shù)。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲(CXMT)，意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力，扮演中國半導體發(fā)展的重要角色。

　　總而言之，中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展形勢較為樂觀，但還有一段漫長的路要走。