日本研發(fā)超薄高溫超導(dǎo)電纜
日前，日本理化學(xué)研究所和千葉大學(xué)組成的聯(lián)合研發(fā)小組開發(fā)成功絕緣部厚度是目前十分之一的下一代超薄高溫超導(dǎo)電纜，從而使核磁共振（NMR）和磁共振成像（MRI）等裝置的小型化和低成本制造成為可能。
聯(lián)合小組采用聚酰亞胺電沉積法，在導(dǎo)電線的表面形成極薄的聚酰亞胺絕緣體皮膜。絕緣體的厚度僅為4微米，而目前高溫超導(dǎo)電纜絕緣部分厚度為50微米左右。較厚的絕緣層不僅對電流密度有影響，且使超導(dǎo)線圈體積難以小型化。經(jīng)測試，新型超薄高溫超導(dǎo)電纜斷面絕緣比例達(dá)到10%以下，較現(xiàn)有高溫超導(dǎo)電纜減少80%以上；制成的超導(dǎo)線圈電流密度增加2倍以上，體積可減小4/5左右。其制作工序也較目前采取的聚合體絕緣帶包卷方式更加簡化，可依據(jù)需要制作小型超導(dǎo)線圈以及數(shù)千米長的高溫超導(dǎo)電纜。
標(biāo)簽：日本 超薄高溫超導(dǎo)電纜
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